異質結雙極晶體管 hbt.ppt
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異質結雙極晶體管 hbt,heterojunction bipolar transistor第一節(jié) bjt 中的能帶工程第二節(jié) sige 基區(qū)雙極晶體管第三節(jié) iii-v 族hbt通過改變bjt中半導體材料的組分,在設計上獲得新的自由度hbt的關鍵在于減小不同材料之間的晶格失配
內容介紹
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Heterojunction Bipolar Transistor
第一節(jié) BJT 中的能帶工程
第二節(jié) SiGe 基區(qū)雙極晶體管
第三節(jié) III-V 族HBT
通過改變BJT中半導體材料的組分,在設計上獲得新的自由度
HBT的關鍵在于減小不同材料之間的晶格失配
第一節(jié) BJT 中的能帶工程
第二節(jié) SiGe 基區(qū)雙極晶體管
第三節(jié) III-V 族HBT
通過改變BJT中半導體材料的組分,在設計上獲得新的自由度
HBT的關鍵在于減小不同材料之間的晶格失配
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