一、通用的設(shè)計(jì)考慮
1、發(fā)射區(qū)的設(shè)計(jì) （實(shí)際工藝流程中是最后制備成的）
發(fā)射區(qū)的參數(shù)只影響JB、寄生電阻、電容和最終的IC，但不影響JC
設(shè)計(jì)中通常不通過(guò)調(diào)節(jié)JB來(lái)調(diào)節(jié)器件性能
發(fā)射區(qū)設(shè)計(jì)的要求：
根據(jù)實(shí)際需要的電流決定發(fā)射區(qū)的面積
獲得盡可能小的基極電流
獲得盡可能小的發(fā)射區(qū)電阻
使IB穩(wěn)定、可重復(fù)
由于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度很高  性能的穩(wěn)定和可重復(fù)重要
同時(shí)為降低發(fā)射極接觸電阻通常利用硅化物工藝
由于EB結(jié)空間電荷區(qū)的影響，擴(kuò)散或注入的發(fā)射區(qū)當(dāng)WB<100nm以后無(wú)法滿(mǎn)足穩(wěn)定工藝的要求。（擴(kuò)散E區(qū)的結(jié)深約為300nm）
對(duì)于薄基區(qū)通常采用多晶硅發(fā)射區(qū)，結(jié)深可達(dá)25nm，但存在re大的問(wèn)題