摘要 采用強(qiáng)流脈沖電子束(HCPEB)裝置對(duì)單晶硅進(jìn)行表面輻照處理，利用光學(xué)顯微鏡（OM），原子力顯微鏡（AFM），掃描電子顯微鏡（SEM），透射電子顯微鏡（TEM）對(duì)輻照后樣品的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的表征，并利用穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)熒光光譜儀（FLS920）考察HCPEB輻照后樣品的光致發(fā)光性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：輻照后樣品表面誘發(fā)了各種位錯(cuò)組態(tài)，還在局部區(qū)域形成密集的多孔結(jié)構(gòu)。此外，HCPEB輻照在樣品表面形成了納米晶結(jié)構(gòu)，并且在其表面形成了網(wǎng)格型和六邊形自組裝納米陣列。PL光譜顯示輻照后Si樣品還具有410 nm（3.01eV）左右的藍(lán)光發(fā)射現(xiàn)象。

關(guān)鍵詞: 單晶Si；強(qiáng)流脈沖電子束；微觀結(jié)構(gòu)；光致發(fā)光